多因素驅動集成電路熱處理設備行業發展 晶圓廠商產能擴產帶動市場需求上升

企業名稱

產能擴張

技術節點

中芯國際（SMIC）

北京：與亦莊國投合作建設12英寸廠（28nm及以上制程），規劃月產能10萬片。

技術節點：14nmFinFET技術已量產，但受設備限制難以擴產；重點轉向28nm及以上成熟制程（占營收80%以上）。

上海：臨港基地投資89億美元建12英寸廠，聚焦28nm及以上成熟制程，目標月產能10萬片。

深圳：與深圳政府合資建廠（28nm及以上），規劃月產能4萬片。

天津：擴建12英寸廠，新增10萬片/月產能（2023年啟動）。

華虹半導體

無錫基地：一期12英寸廠（55nm-28nm特色工藝）已滿產，月產能9.5萬片；二期投資67億美元擴產，2024年底投產后總產能將達20萬片/月。

技術方向：深耕嵌入式存儲、功率器件、MCU等特色工藝，避開先進制程競爭。

粵芯半導體（廣州）

三期規劃：一期（180-90nm模擬芯片）已投產，月產能4萬片；二期（55nm-40nm）2023年量產，三期（12英寸12nm）投資162億元，聚焦車規級芯片。

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積塔半導體（上海）

臨港基地：擴產車規級芯片（IGBT、SiC等），目標月產能10萬片（12英寸）。

技術特色：專注功率半導體和第三代半導體，適配新能源汽車需求。

長江存儲（YMTC）

武漢基地：一期（3DNAND）月產能10萬片（128層/232層）；二期原計劃擴至30萬片/月，但因美國制裁推遲設備采購，產能爬坡放緩。

技術突破：全球首推Xtacking3.0架構（232層NAND），但量產受限。

長鑫存儲（CXMT）

合肥基地：一期（19nmDRAM）月產能12萬片（等效8英寸）；二期規劃176層DRAM技術，2024年產能提升至18萬片/月。

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士蘭微（SilanMicro）

廈門基地：投資170億元建12英寸特色工藝產線（功率半導體、MEMS傳感器），規劃月產能8萬片。

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華潤微電子（CRMicro）

重慶基地：12英寸產線聚焦功率半導體（MOSFET、IGBT），2025年產能達3萬片/月；無錫基地：8英寸產線擴產至13萬片/月，主攻BCD工藝和MEMS。

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芯恩半導體（青島）

產能規劃：8英寸廠月產能3萬片（模擬/射頻芯片），12英寸廠規劃5萬片/月（28nm及以上邏輯芯片）。

技術路線：中國首個CIDM（共享式IDM）模式，整合設計-制造-應用。