我國半導體產能全球領先 半導體光刻膠行業需求強勁 EUV前景廣闊 國產多領域加速突破

前言：

光刻膠是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料，其性能對芯片性能和良率產生直接影響。中國半導體產能全球領先，半導體光刻膠市場需求強勁。隨著半導體工藝和制程升級，高端光刻膠需求迅速增長，其中EUV光刻膠占比仍然較小，增長空間廣闊。

半導體光刻膠行業壁壘高，市場主要被美日企業占據，JSR、東京應化、美國杜邦、信越化學、住友及富士膠片等頭部廠商在半導體光刻膠的高端領域中占據極高的市場比重。近年來，隨著中國晶圓廠擴產過程中加速驗證導入本土光刻膠以及上游樹脂國產化進程加快，國內半導體光刻膠廠商迎來發展機遇，目前在 G/I 線、KrF、ArF 等領域已實現一定量產。

一、光刻膠及其相關輔助材料占比超10%，是第四大半導體材料

根據觀研報告網發布的《中國半導體光刻膠行業發展深度分析與投資前景研究報告（2025-2032年）》顯示，光刻膠是一種圖形轉移介質，依賴于光化學反應，通過曝光顯影和刻蝕等工藝，將掩模板上所需的微細圖形精確地轉移到待加工的基片上。

光刻膠在半導體晶圓制造材料價值中的占比為5%，其輔助材料占比7%，合計達到12%。光刻膠及其相關輔助材料成為繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。

數據來源：觀研天下數據中心整理

二、我國半導體產能全球領先，半導體光刻膠市場需求強勁

半導體制造的核心材料--光刻膠的性能對芯片性能和良率產生直接影響。中國半導體產能全球領先，半導體光刻膠市場需求強勁。數據顯示，2023年,中國大陸半導體產能占全球的比重達20%左右,中國大陸半導體光刻膠市場規模占全球的23.1%。

數據來源：觀研天下數據中心整理

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隨著中國晶圓廠密集投產，發力半導體成熟制程，預計2028年國內半導體光刻膠市場規模將達到10.36億美元，2023-2028年CAGR為13.8%。

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三、半導體工藝和制程升級下高端光刻膠需求迅速增長，EUV光刻膠前景廣闊

根據不同的曝光光源波長，半導體光刻膠細分為g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠、EUV光刻膠五類。

G/I線光刻膠是較早的光刻膠技術，成熟應用于汽車電子等領域；KrF光刻膠主要應用于0.25um及以下各制程，特別是在3D NAND堆疊架構的制作中；ArF光刻膠在浸潤式光刻系統和負顯影工藝等技術的助力下，將先進制程從45nm推進至7nm工藝；EUV光刻膠是最新一代技術，應用于7nm以下集成電路的制造，在邏輯芯片和存儲DRAM芯片的生產中十分重要。

隨著半導體工藝和制程升級，高端光刻膠需求迅速增長。其中KrF光刻膠受3D NAND堆疊層數增長驅動，ArF光刻膠用量增加受多重光刻工藝增長驅動，光刻道次的增多將使EUV光刻膠需求增加。

根據數據，2023 年中國大陸半導體光刻膠中 ArF 和 KrF合計占據超八成的市場份額，其中ArF光刻膠達44.28%，是 2023 年國內唯一正增長的光刻膠種類。隨著人工智能強勁推動 AI 服務器和存儲芯片發展，以及集成電路先進制程工藝增長，高端光刻膠需求進一步增長，尤其是在用EUV 技術生產的芯片的增長下，EUV光刻膠有望成為最具增長潛力的細分市場。

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四、全球半導體光刻膠行業由美日主導，國內廠商在多領域實現突破

半導體光刻膠行業壁壘顯著高于PCB光刻膠和LCD光刻膠，集中體現在高純度以及復雜的生產工藝、巨額的設備投資、對關鍵原材料的高度依賴上，此外，光刻膠高技術特性使得其質量直接影響下游產品的質量，產業有著較高采購成本與認證成本，行業客戶壁壘高。

目前全球光刻膠市場主要被美日企業占據，頭部廠商包括JSR、東京應化、美國杜邦、信越化學、住友及富士膠片等，尤其在半導體光刻膠的高端領域中，上述企業占據更高的市場比重。

近年來，國內半導體光刻膠廠商迎來機遇。一方面，中國晶圓廠擴產過程中加速驗證導入本土光刻膠；另一方面，上游半導體光刻膠樹脂涌現了許多國產廠商，供給能力有所提高。目前，國內半導體光刻膠企業在 G/I 線、KrF、ArF 等領域已實現一定量產，未來隨著技術壁壘的進一步突破，半導體光刻膠國產替代加速突破。

中國光刻膠樹脂主要廠商布局情況

資料來源：觀研天下整理

全球半導體光刻膠主要廠商布局情況

資料來源：觀研天下整理（zlj）