1、化合物半導體定義
半導體按照歷史進程可分為以硅基為代表的第一代半導體,以砷化鎵、磷化銦等化合物為代表的第二代半導體,和以碳化硅、氮化鎵等化合物為代表的第三代半導體。與第一代半導體由單一元素組成不同,第二代和第三代半導體材料由兩種或以上元素組成,統稱為化合物半導體。材料性能決定應用場景,化合物半導體廣泛適用于高電壓、高功率、高頻率等領域。
第一、二、三代半導體材料情況
半導體材料 | 主要材料 | 下游應用 |
第一代材料 | 硅(Si)鍺元素(Ge) | 以硅基材料為主,制備工藝較為成熟,且自然界儲備量大,成本較低,目前應用最為廣泛,包括集成電路、功率半導體,下游涵蓋消費電子、通信、光伏軍事以及航空航天等多個領域。 |
第二代材料 | 砷化鎵(GaAs)磷化鎵(GaP) | 以砷化嫁為主,電子遷移率較高,生長工藝成熟,但資源比較稀缺,材料有毒性,易造成環境污染,主要用于制造高頻,高速以及大功率電子器件,在衛星通訊、移動通訊以及光通訊等領域有較為廣泛的應用。 |
第三代材料 | 氮化鎵(GaN)碳化硅(SiC)氧化鋅(ZnO)金剛石 | 以碳化硅和氮化嫁為主,是寬禁帶半導體材料,適用于高溫、高壓高頻領域,在新能源汽車、5G宏基站光狀風電和高鐵等領應用較廣,但目前行業尚處發展初期,良率低,成本較高。 |
資料來源:觀研天下整理
硅元素因結構簡單,自然界儲量大,制備相對容易,所以硅基半導體應用廣泛,特別在以處理信息的集成電路領域處于主導地位。但在高電壓、高功率、高頻率的分立器件領域,硅基半導體因其窄帶隙、低熱導率和低擊穿電壓等特性限制了其在該領域的應用。而化合物半導體因其具有更寬的禁帶,更強的耐高壓、高功率等特性,使其在分立器件領域具有更高的可靠性,更長的使用壽命,被廣泛應用于功率器件、微波射頻、電力電子等產品中。
2、新能源汽車、可再生能源等領域需求推動,化合物半導體市場快速發展
根據觀研報告網發布的《中國化合物半導體行業發展趨勢分析與未來前景研究報告(2025-2032)》顯示,憑借其寬禁帶、高擊穿電場、高電子遷移率等材料特性,化合物半導體能夠在高溫、高功率、高頻率、高電壓等極端條件下穩定運行,廣泛應用于新能源汽車、可再生能源等領域。
在新能源汽車領域,電驅電控系統、電池管理系統、高壓充電系統等涉及高壓、高電流的系統都離不開化合物半導體芯片的支持。根據數據顯示,2018年以來,我國新能源汽車產銷量穩步增長。2024年我國新能源汽車產量和銷量分別為1316.8萬輛、1286.6萬輛,較2023年分別同比增長38.7%、35.5%;2025年1-5月,我國新能源汽車產銷分別完成569.9萬輛和560.8萬輛,同比分別增長45.2%和44%。新能源汽車產銷量的增加帶動了對化合物半導體行業需求。
數據來源:觀研天下整理
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在可再生能源領域,化合物半導體器件可有效提升風電、光伏逆變器的電能轉換效率,降低系統成本。根據數據顯示,2020-2024年,我國可再生能源發電裝機從9.34億千瓦增長至18.89億千瓦,年均復合增長率為 19.38%,市場需求持續攀升。
數據來源:觀研天下整理
隨著可再生能源行業的發展,化合物半導體市場需求將持續擴大,具有較大的市場空間和發展機遇。此外,5G商用、人工智能等領域的快速推進,也為化合物半導體發展帶來新的發展機遇。
3、全球及我國化合物半導體市場規模持續擴大
上述應用領域需求的推動下,全球及我國化合物半導體市場規模持續增長。根據數據顯示,2020-2024年,全球化合物半導體芯片市場規模由1481.8億元增長至2716.6億元,其中中國化合物半導體芯片市場規模由504.8億元增長至1070.7億元,年均復合增長率分別為16.4%和20.7%。
數據來源:觀研天下整理(WYD)

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