我國存儲芯片市場自主可控需求迫切 政策持續推動國產化

一、存儲芯片下游需求旺盛，芯片產品價格波動較大

隨著5G、人工智能（AI）、車聯網和云計算等新一代信息技術的快速迭代，海量數據的生成與處理已成為常態，數據存儲市場正經歷著前所未有的井噴式增長。

高性能存儲芯片包括動態隨機存取存儲器（DRAM）、閃存（NAND Flash）、高帶寬存儲器（HBM）等，具有高讀寫速度、大容量、低功耗、高可靠性、強穩定性、數據傳輸快速等特點，能夠滿足智能手機等移動設備、數據中心與云計算、人工智能（AI）與機器學習、汽車電子、安防監控、航空航天等對存儲有高要求應用領域的需求。

根據觀研報告網發布的《中國存儲芯片行業發展趨勢分析與投資前景研究報告（2025-2032年）》顯示，隨著AI大模型和AI服務器的持續進化，市場對高性能存儲芯片的需求將達到前所未有的高度。同時，隨著手機、個人計算機等計算終端對大模型的積極采納，消費電子產品對存儲芯片的需求也將持續增長。

不同存儲芯片特點及應用場景

資料來源：觀研天下數據中心整理

由于內核存儲器、主存儲器、外部存儲器之間均存在較大的讀寫速度差距,形成了制約整個系統性能的“存儲墻”。而隨著處理器速度和核數的持續增長,存儲墻對系統性能的限制愈發明顯。同時，物聯網、智能傳感器、人工智能等特定應用的發展也對極低功耗的高性能存儲器提出了新的產業化需求。新型存儲器采用與現有DRAM和NAND Flash等成熟存儲器截然不同的存儲原理，能夠滿足未來更加多樣化的存儲需求。

2024年存儲價格呈現波動態勢，存儲原廠營收規模持續增長，為保持盈利勢頭各大存儲原廠謹慎應對，開啟新一輪減產。美光2024年12月已宣布NAND晶圓將減產10%；2025年1月，三星的西安工廠NAND產能減少超過10%，韓國國內的產線也在做調整，整體產能處在下調階段；SK海力士計劃在2025年上半年將NAND產量減少10%；鎧俠同樣在2024年12月就開始實施減產。原廠堅決的減產措施，幫助市場快速建立新的供需平衡，存儲價格快速企穩，并為未來價格反彈奠定基礎。

（一）NAND Flash存儲芯片

NAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越多的使用，廣泛應用于嵌入式產品中，包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的USB閃存盤等。

截止2025年5月16日，市場1Tb TLC產品價格較1Tb QLC高12.87%，其中，1Tb QLC產品價格較2025年1月1日同比上漲7.45%，整體漲幅高于1Tb TLC產品，同期1Tb TLC產品價格漲幅約1.79%

資料來源：觀研天下數據中心整理

整體隨著服務器終端庫存調整的逐步完成以及AI對大容量存儲產品需求的強勁推動，呈增長趨勢。各大廠商通過研發3D NAND，提升閃存的存儲密度，如三星集團、美光科技有限公司等國際企業都在積極探索更高層數的堆疊技術。

傳統應用領域需求穩定，如固態硬盤（SSD）、USB閃存盤、存儲卡、智能手機、平板電腦等，此外，智能手機的存儲容量不斷提升，對 NAND Flash 的需求也在增加；新興應用領域帶來新機遇，AI、物聯網、汽車電子等新興應用領域對NAND Flash的需求在不斷增長，為NAND Flash帶來了新的市場機遇。

（二）DRAM存儲芯片

DRAM是一種半導體存儲器，與大部分的隨機存取存儲器（RAM）一樣，DRAM中的數據會在電力切斷后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設備。受消費電子市場需求變化、宏觀經濟形勢等因素影響，價格波動仍將是DRAM行業面臨的一個挑戰。截止2025年5月13日，DDR4 16Gb 3200和DDR4 8Gb 3200兩類產品價格較2025年1與1日同比上漲36.36%和39.13%，漲幅明顯。

資料來源：觀研天下數據中心整理

從長期來看，隨著云計算、人工智能、物聯網等技術的不斷發展，DRAM市場規模有望繼續增長，預計到2031年全球DRAM市場規模將達到1263.2億美元。此外，由于智能網聯汽車以及自動駕駛的發展，車用DRAM將創造新增量。隨著制程工藝的不斷縮小，DRAM的制造難度越來越大，因此從2D架構轉向3D架構成為未來發展的主要方向之一。

二、全球存儲芯片市場高度壟斷，本土存儲芯片持續發力

存儲芯片行業高度壟斷，寡頭占全球市場份額90%以上。存儲芯片產業的技術、專利、人才幾乎都被幾家寡頭企業掌握。以DRAM產業為例，在全球發展了幾十年，制程技術持續進步，在架構、制程、設計、接口、測試、系統等方面存在很多專利，且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進者是否擁有合規的技術來源以及自主創新能力成為立足發展的關鍵。

存儲芯片制造業是個重資產行業，前期研發需要耗費大量的資金，設備折舊快，需要持續性投入、長遠穩定的政策和大量的技術積累，往往也需要經歷多年的虧損才能盈利。而且既得利益的寡頭企業可以通過操縱市場價格、脅迫客戶簽署排他性條款等手段來阻止行業的新進入者。

在DRAM和NAND Flash兩種存儲芯片市場三星、海力士和美光在這兩個細分市場中占據主導地位，全球市場份額分別達到44%、28%和23%。

資料來源：公開資料整理

在國家對半導體產業的大力扶持下，我國存儲芯片行業呈現出蓬勃發展的態勢，國內本土存儲芯片公司主要包括長江存儲、長鑫存儲、兆易創新、德明利、江波龍、佰維存儲和深科技。

行業地位來看，長江存儲是中國最大3D NAND芯片制造商,是唯一能與三星、鎧俠等大廠競爭的陸企；兆易創新是主要產品為閃存芯片，半導體存儲器領域領導企業；深科技是國內最大的獨立DRAM內存芯片封測企業，全球第二大硬盤磁頭制造商；德明利是在全球存儲卡、存儲盤等移動存儲領域擁有一定市場份額。

國內存儲芯片行業重點企業

名稱	品牌	產品簡介
長江存儲		2017年10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創新 Xtacking®架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發布之時業界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。長江存儲基于晶棧Xtacking 4.0架構推出了用于Al算力中心的全新PCle 5.0企業級固態硬盤PE511，該產品性能相較上一代Gen4產品提升100%，新增16TB和32TB容量，DWPD(每日全盤寫入次數)可擦寫次數提升20%。PE511預計將于2025年發布并量產進一步滿足AI數據中心對大容量、高性能存儲的需求。
長鑫存儲		2023年長鑫存儲推出了最新LPDDR5 DRAM存儲芯片，成為國內首家推出自主研發生產的LPDDR5產品的品牌，實現了國內市場零的突破。與上一代LPDDR4相比，長鑫LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。從產品應用和市場空間上看，LPDDR5芯片能夠為其搭載的移動端電子設備帶來更快的速度體驗和更低的功耗消耗。
兆易創新		兆易創新在2013年推出業界第一顆SPI NAND Flash，經過多年的發展，在消費電子、工業、汽車電子等領域已經實現了全品類的產品覆蓋。兆易創新的SPI NAND Flash內置可開關ECC模塊，支持QSPI接口，具有高速，高可靠性，低功耗的特點。相較于傳統并行接口，具有封裝體積小，引腳少，易于使用的優勢，并且可以與SPI NOR Flash共用Layout設計，易于切換。自推出以來就得到了用戶的廣泛好評，是嵌入式應用代碼數據存儲的重要解決方案2024年，公司根據市場需求及產品技術迭代變化，將DRAM募集資金項目的用途由原計劃研發四種產品DDR3、DDR4、LPDDR3和LPDDR4調整為DDR3、DDR4、LPDDR4和LPDDR5，其中，LPDDR4預計在2025年下半年貢獻收入。
德明利		2024年公司面向高性能應用領域，推出了M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD，順序讀寫性能達到14100/12200MB/s，容量規格設定為 1TB-8TB，顯著降低數據傳輸的延遲，內置智能電源管理模塊，確保在高性能運行的同時保持低功耗和高穩定性，廣泛支持AI+技術，滿足大數據、云計算和高性能計算的存儲需求。
江波龍		2024年江波龍率先實現了基于QLC閃存顆粒的eMMC量產出貨，QLCeMMC以其大容量及價格優勢為公司保持eMMC的領先地位提供新的動。2023年底開始公司已量產LPDDR5產品，基于未來對更高數據傳輸速率的需求，LPDDR5X產品已量產，且在客戶端實現批量的交付。公司的LPDDR產品已獲得聯發科技、紫光展銳及晶晨半導體等主流平臺的認證，而且產品經過嚴格的可靠性測試，以確保卓越的性能及耐用性。
佰維存儲		佰維存儲ePOP等代表性存儲產品具有低功耗、快響應、輕薄小巧等優勢，產品表現出色，已進入Meta、Rokid、雷鳥創新等國內外知名AI/AR眼鏡廠商，Google、小天才、小米等國內外知名智能穿戴廠商供應鏈體系。2024年智能穿戴存儲產品收入超8億元，同比大幅增長。2025年隨著AI眼鏡的放量，公司與Meta等重點客戶的合作不斷深入，將推動公司智能穿戴存儲業務的持續增長。其中，公司為Ray-Ban Meta提供 ROM+RAM存儲器芯片，是國內的主力供應商，公司在2024年榮獲Meta Reality Labs“技術創新獎”佰維存儲積極布局芯片研發與設計領域，第一款國產自研主控eMMC（SP1800）已成功量產，性能優異，目前已送樣國內頭部客戶。；在手機應用方面，SP1800支持TLC及QLC顆粒，迎合手機存儲QLC替代趨勢，其解決方案將于2025年量產。
深科技		深科技在半導體封測產品包括 DRAM、NAND FLASH以及嵌入式存儲芯片，具體有雙倍速率同步動態隨機存儲器（DDR3、DDR4、DDR5）、低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器（LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5）、符合內嵌式存儲器標準規格的低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器（eMCP4）等。2024年公司規劃布局的 Bumping（凸塊）及RDL（再布線層）項目實現量產；超薄存儲芯片PoPt封裝技術（Package on Package top，疊層封裝技術）實現量產；16層堆疊技術和 uMCP SiP（超小型多芯片封裝系統級）封裝技術具備量產能力，同時創新地進行 strip FO（條帶式扇出型）封裝技術的研發；優化多項仿真技術系統，提升研發效率；推動封測材料多元化，多款材料通過測試驗證，并導入量產。

資料來源：企業財報，觀研天下數據中心整理

三、本土存儲芯片供不應求，自給率處于較低的水平

存儲芯片作為信息的核心載體，其自主化程度與自給率嚴重關乎國家安全。2023年10月，工信部等六部門聯合印發《算力基礎設施高質量發展行動計劃》，強調“持續提升存儲產業能力，鼓勵存儲產品制造企業持續提升關鍵存儲部件等自主研發制造水平”，以加快存儲國產化進程；2024年5月，中央網信辦、市場監管總局、工信部聯合印發的《信息化標準建設行動計劃（2024—2027年）》，明確提出加大先進計算芯片、新型存儲芯片關鍵技術標準攻關；2025年2月，工信部組織開展算力強基揭榜行動，面向算力網絡的計算、存儲、網絡、應用、綠色、安全等六大重點方向，聚焦安全監測與國產芯片創新，突破存儲系統關鍵技術。

2024年，中國進口芯片總量達到5492億塊，同比增長14.51%，進口金額2.8萬億元人民幣，同比增長10.36%。近年來，我國出口芯片的數量和金額同樣實現了大幅增長，但貿易逆差仍高達2000多億美元。

2019-2024年中國用作存儲器的多元件集成電路產品進出口情況（單位：萬個）

資料來源：海關總署，觀研天下數據中心整理

2024年中國進口芯片中處理器及控制器占比約50%，其中，存儲芯片占比約25%，這兩大類芯片的高度依賴進口，不僅意味著我國在關鍵技術和產業鏈環節上存在短板，也直接影響了國家的信息安全和產業安全。

資料來源：海關總署，觀研天下數據中心整理（cyy）