一、先進封裝發展，將帶動半導體鍵合設備市場快速擴容
半導體鍵合設備是半導體后道封裝設備中的關鍵一環，鍵合機價值量占封裝設備25%左右。
數據來源：觀研天下數據中心整理
根據觀研報告網發布的《中國半導體鍵合設備行業現狀深度分析與投資前景預測報告（2025-2032年）》顯示，半導體鍵合設備負責將裸芯片或微型電子組件精準貼裝到引線框架、熱沉、基板或PCB板上，確保芯片與外部的順暢電連接。半導體鍵合設備的性能優劣直接關系到半導體產品的質量、可靠性和整體性能。此外，鍵合設備還需承受后續組裝的物理壓力、有效消散芯片工作時產生的熱量，并保持恒定的導電性和高水平的絕緣性。
摩爾定律逐步放緩，先進封裝接棒先進制程成為后摩爾時代主力軍。由于集成電路 制程工藝短期內可能遇到瓶頸，且傳統的二維互連封裝技術已不能解決高集成度和 趨近物理極限尺寸的芯片下產生的互連延時以及功耗增加等問題，為了提高芯片的 集成度、降低芯片功耗、減小互連延時、提高數據傳輸帶寬，出現了向第三維垂直方向發展的2.5D/3D先進封裝技術。
在先進封裝的技術推動下，鍵合步驟和鍵合設備價值量顯著提升。以AMD EPYC（霄 龍）處理器為例，AMD在1代和2代芯片上采用倒裝工藝，所需鍵合步驟數分別為4和 9步，而隨著AMD將混合鍵合工藝引入EPYC生產，所需鍵合步驟束陡增至超過50步。 同時，以Besi提供的鍵合機類型來看，倒裝工藝需要的8800 FC Quantum平均售價 為50萬美元，對應每小時產量9000片，而引入混合鍵合模組的8800 Ultra Accurate C2W Hybrid Bonder平均售價達到了150-200萬美元，對應每小時產量1500-2000片， 相應設備的單位產量投資額提升了將近18倍。在先進封裝成為后摩爾時代發展主力 方向的背景下，鍵合機將成為技術進步的主要推動力并受益，有望在未來快速增長。
根據鍵合機價值量占比，預計2025年全球半導體鍵合設備市場規模增長至17.48億美元，2020-2025年CAGR約為 13.0%，遠高于封裝設備整體（10.6%）、包裝與電鍍設備（9.9%）以及其他封裝 設備（9.8%）。
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二、半導體鍵合技術不斷演進，混合鍵合設備將成為下一代主力
傳統封裝需要依靠引線將晶圓與外界產生電氣連接：將晶圓切割為晶粒后，使晶粒貼合到相應的基板架上，再利用引線將晶片的接合焊盤與基板引腳相連，實現電氣連接，最后用外殼加以保護。
封裝要求提高下，鍵合技術追求更小的互聯距離以實現更快的傳輸速度。近年來，封裝技術經歷了從最初通過引線框架到倒裝（FC）、熱壓鍵合（TCP）、扇出封裝（Fan-out）、混合封裝（Hybrid Bonding）的演變，以集成更多的I/O、更薄的厚度，以承載更多復雜的芯片功能和適應更輕薄的移動設備。在最新的混合鍵合技術下，鍵合的精度從5-10/mm2提升到10k+/mm2，精度從20-10um提升至0.5-0.1um，與此同時，能量/Bit則進一步縮小至0.05pJ/Bit。
鍵合技術演進情況
| 類別 | 引線鍵合（WireBonding, 1975） | 倒裝芯片鍵合（FlipChip, 1995） | 熱壓鍵合（TCBBonding，2012） | 扇出封裝（HD FanOut，2015） | 混合鍵合（HybridBonding，2018） |
| 工藝種類 | 引 線 | 錫 球/銅柱凸塊 | 銅柱凸塊 | RDL/銅柱凸塊 | 銅-銅鍵合 |
| 連接密度 | 5-10 I/O接 口/mm2 | 25-400 I/O接 口/mm2 | 156-625 I/O接 口/mm2 | 500+ I/O接 口/mm2 | 1萬-100萬 I/O接 口/mm2 |
| 基 板 | 有機物/引線框架 | 有機物/引線框架 | 有機物/硅 | - | - |
| 精 度 | 20-10μm | 10-5μm | 5-1μm | 5-1μm | 0.5-0.1μm |
| 能 耗/比 特 | 10pJ/bit | 0.5pJ/bit | 0.1pJ/bit | 0.5pJ/bit | ＜0.05pJ/bit |
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倒裝鍵合的回流焊適用于40-50μm凸點間距，但隨著凸點間距縮小會導致翹曲和精度問題，使回流焊不再適用；熱壓鍵合40-10μm凸點間距中能夠勝任，但當凸點間距達10μm時，TCB可能產生金屬間化合物，影響導電性。相比之下，混合鍵合技術優勢突出，預計未來10μm凸點間距以下的高集成度封裝將全面轉向混合鍵合技術，混合鍵合設備將成為市場主流。
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三、海外企業主導全球半導體鍵合設備市場，邁為股份等中國企業正積極追趕
海外企業先發優勢明顯，主導全球半導體鍵合設備市場。從熱壓鍵合市場看，全球熱壓鍵合機前五大制造商（ASMPT、K&S、BESI、Shibaura和SET）均為海外企業，總市占率達88%；其中ASMPT發展較為領先，其熱壓鍵合機包括FIREBIRD TCB系列，主要用于異構集成的芯片2D、2.5D及3D封裝，已批量交付超過250臺。從混合鍵合市場看，BESI市占率高達67%，為絕對龍頭，其設備廣泛應用于3D IC、MEMS和先進封裝等領域，尤其在高端市場具有顯著優勢。
海外半導體鍵合設備商布局情況
| 企業名稱 | 所屬國家 | 成立時間 | 布局情況 |
| BESI | 荷蘭 | 1995年 | 公司在固晶/鍵合機領域主要圍繞先進封裝設備進行布局。先進封裝固晶/鍵合機方面， BESI可以提供多模塊固晶機、倒裝鍵合機、混合鍵合機在內的多種晶圓鍵合設備。 多模塊固晶機主要用于功率模組、攝像頭模組等不同模塊的互連，Datacon 2200系 列產品可以做到組裝精確度3微米、產能效率7000 UPH；倒裝鍵合機Datacon 8800 FC Quantum系列運用回流焊技術，組裝精確度達到5微米，產能效率較高，可以實 現最高10000 UPH；熱壓鍵合機Datacon 8800 TC系列主要用于TSV工藝之中，目 前可以做到2微米的精確度和1000 UPH的產能效率；混合鍵合機8800 Ultra Accurate Chip to Wafer Hybrid Bonder運用混合鍵合技術，精準度可以到達0.2微米 以上，產能效率在1500UPH左右。 |
| ASMPT | 荷蘭 | 1975年 | 鍵合機方面，ASMPT主要可以提供引線鍵合 機、倒裝鍵合機、熱壓鍵合機和混合鍵合機，同時滿足下游客戶傳統封裝和先進封 裝的需求。引線鍵合機包括AERO和HERCULES系列，分別可以進行銅線鍵合和鋁 線鍵合；倒裝鍵合機包括AD8312FC和NUCLEUS系列，可以支持低引腳數的倒裝封 裝及扇出型工藝需求；熱壓鍵合機包括FIREBIRD TCB系列，主要用于異構集成的 芯片2D、2.5D及3D封裝，已經實現有超過250臺在下游客戶工廠參與量產；混合鍵 合機包括LITHOBOLT系列，主要支持D2W混合鍵合工藝。 |
| EV Group | 奧地利 | 1980年 | 鍵合機方面，EVG可以提供滿足科研和批量生產的解決方案。EVG公司提供的鍵合 機品種多樣，包括適合陽極鍵合、共晶鍵合、金屬擴散鍵合、直接鍵合、聚合物鍵 合、熔融與混合鍵合和瞬時液相鍵合的小批量、半自動晶圓鍵合解決方案，如 EVG510、EVG520、EVG540晶圓鍵合系統等；還提供可以實現全自動、大批量、 滿足3D異構集成高對準精度生產的晶圓鍵合解決方案，如EVG560、EVG GEMINI、 EVGCombond、EVG Bondscale等晶圓鍵合系統；還有用于扇出封裝、晶圓減薄、 3D堆疊、晶圓鍵合的臨時鍵合和晶圓解鍵合解決方案，如EVG850、EVG850TB、 EVG850LT等晶圓臨時鍵合與解鍵合系統等各類有關鍵合工藝設備?；旌湘I合D2W領域，公司是行業領先探索者之一。2021年3月，EVG推出了行業首 部用于晶片到晶圓（D2W）鍵合應用的商用混合鍵合活化與清潔系統——EVG 320 D2W晶片準備與活化系統。EVG 320 D2W集成了D2W鍵合需要的所有關鍵預處理 模塊，包括清潔、電漿活化、晶片調準檢定以及其他必要的模塊，既可作為獨立系統 運行，也可與第三方拾放式晶片鍵合系統相集成。通過和ASMPT在D2W領域的深入 合作，EVG相關設備技術能力也得到了大幅提升，2022年7月，EVG宣布公司在芯 片到晶圓（D2W）熔融與混合鍵合領域取得重大突破，EVG在單次轉移過程中使用 GEMINI®FB自動混合鍵合系統，在完整3D片上系統（SoC）中對不同尺寸芯片實施 無空洞鍵合，良率達到100%。 |
| SUSS | 新加坡 | 1964 | 鍵合機領域，SUSS主要提供全自動和半自動晶圓片鍵合系統。半自動晶圓鍵合機方 面，SUSS晶圓鍵合系統主要包括XB8、SB6/8Gen2、DB12T和LD12系統，適用于 8英寸和12英寸晶圓片的鍵合，主要用以科研與測試用途。全自動晶圓鍵合機方面， SUSS主要包括XBS200（8英寸）、XBS300（12英寸混合鍵合）、XBS300（12英 寸臨時鍵合機）和XBC300Gen2（解鍵合與清洗機）等系統。SUSS XBS 300平臺可以用于8英寸和12英寸的混合鍵合/熱壓鍵合。XBS 300平臺 擁有高度的模塊化設計來實現極大的配置靈活性。通過更換對應模塊，XBS 300可 以提供熱壓鍵合和混合鍵合兩種鍵合工藝。新型XBS300混合鍵合平臺可用于HBM 和3D SOC等要求極其嚴苛的混合鍵合工藝，滿足D2W（芯片到晶圓）和W2W（晶 圓到晶圓）兩種加工需求，同時還擁有行業領先的100nm精準度。 |
| K&S | 新 加坡 | 1951年 | 公司從半導體貼片機和焊線機起步，逐步 通過戰略性收購和自主研發，逐步增加了先進封裝鍵合機、電子裝配、楔焊機等產 品，同時配合其核心產品進一步擴大了耗材的產品范圍。目前公司已經形成了半導 體封測設備銷售為核心，配套耗材為輔的產品結構。先進封裝鍵合機方面，公司擁有先進的封裝設備組合，覆蓋高精度芯片貼裝、高精 度倒裝芯片和晶圓級扇出工藝、TCB（熱壓鍵合）工藝等。K&S的倒裝鍵合機 Katalyst?設備為倒裝芯片提供了業界最高的精度和速度。其硬件和技術可在基板或 晶圓上實現3μm的置件精度，屬于業內最高水平，瞬時生產率可高達15000UPH。此 外，K&S的APAMA系列提供了用于TCB、高精度扇出晶圓級封裝和高精度倒裝芯片 的全自動芯片對基板（C2S）和芯片對晶圓（C2W）的解決方案，加工精度可以達 到2微米，TCB加工產量達到3500UPH，扇出型封裝產量達到4500+UPH，同時具備 模塊化的設計，可以幫助下游客戶低成本地將原有產品升級到TCB工藝。 |
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數據來源：觀研天下數據中心整理
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近年來，國內企業正在積極布局半導體鍵合設備市場，市場份額有望提升。如拓荊科技推出W2W鍵合產品（Dione 300）和D2W鍵合表面預處理產品（Pollux），其W2W/D2W混合鍵合前表面預處理及鍵合產品均獲得重復訂單；邁為股份開發了全自動晶圓臨時鍵合設備MX-21D1和晶圓激光解鍵合設備MX22D1，適用于12英寸晶圓片的2.5D、3D和FO封裝工藝；微見智能生產的1.5um級高精度固晶機已經成 功量產并規模商用，支持TCB熱壓焊，且已完成0.5μm級的亞微米全自動固晶機研發， 其固晶機精度指標國際領先。
國產半導體鍵合設備商布局情況
| 企業名稱 | 布局情況 |
| 拓荊科技 | 推出W2W鍵合產品（Dione 300）和D2W鍵合表面預處理產品（Pollux），其W2W/D2W混合鍵合前表面預處理及鍵合產品均獲得重復訂單 |
| 邁為股份 | 開發了全自動晶圓臨時鍵合設備MX-21D1和晶圓激光解鍵合設備MX22D1，適用于12英寸晶圓片的2.5D、3D和FO封裝工藝。MX-21D1擁有—個預鍵合 腔托兩個鍵合腔，可以將鍵合效率提升60%；MX-21D1集成了涂膠、洗邊、晶圓翻 轉、預鍵合與鍵合等工藝單元，激光景深5mm，具備光路變焦功能和垂直升降平臺， 具備大翹曲晶圓激光解鍵合能力。 |
| 百傲化學（芯慧聯） | 2臺D2W和W2W混合鍵合設備已經出貨。 |
| 微見智能 | 生產的1.5um級高精度固晶機已經成 功量產并規模商用，支持TCB熱壓焊，且已完成0.5μm級的亞微米全自動固晶機研發， 其固晶機精度指標國際領先 |
| 華封科技 | 華封科技目前已實現對先進封裝鍵合工藝的全面覆蓋， 為臺積電、日月光、矽品、長電科技、通富微電、DeeTee等國際先進封裝龍頭客戶 提供服務。目前在鍵合機領域公司已推出了2060W晶圓級封裝貼片機、2060P倒裝 晶片封裝鍵合機以及2060M系統級封裝貼片機。其中2060P倒裝鍵合機可適用于Flip Chip、MCP、MEMS貼片工藝，加工精度達到±5μm，UPH高達8k； |
| 芯碁微裝 | 芯碁微裝在SEMICON CHINA 2024展會推出了其WB 8晶圓鍵合機，能夠實現如陽 極鍵合、熱壓鍵合等鍵合方式，支持最大晶圓尺寸為8英寸，采用半自動化操作，可 運用于先進封裝、MEMS等多種應用。該設備鍵合過程中的最大壓力可達100 kN， 最高溫度可達550 °C；擁有全自動工藝流程，高真空度鍵合腔室，可以快速抽真空、 加熱和冷卻過程，提高產能。同時全部系統為電氣化驅動，沒有油污污染風險 |
資料來源：觀研天下整理（zlj）
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